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申请/专利权人：天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心);天津亚盛工业技术有限公司

摘要：本发明公开了一种高硬度与高耐磨性的AlCrSiNAlCrMoSiN纳米多层复合涂层的制备工艺，属于涂层技术领域。该工艺采用高功率脉冲磁控溅射和脉冲直流复合溅射技术沉积纳米多层复合涂层，沉积时本底真空6×10‑3Pa以上，沉积压强0.6～1.6Pa，通入Ar和N2；制备AlCrSiN调制层时，AlCrSi靶功率1.0～1.2kw，偏压为‑120～‑150V；制备AlCrMoSiN调制层时，同时开启AlCrSi靶和CrMo靶，AlCrSi靶功率1.0～1.2kW，CrMo靶功率0.3～0.4kW；本发明通过工艺设计及优化调制周期和调制比，制备出兼具高硬度、高耐磨性能力的纳米复合涂层。

主权项：1.一种高硬度与高耐磨性的AlCrSiNAlCrMoSiN纳米多层复合涂层的制备工艺，其特征在于：该工艺是采用高功率脉冲磁控溅射和脉冲直流磁控溅射复合镀膜技术在基体上沉积AlCrSiNAlCrMoSiN纳米多层复合涂层，其中靶材选取金属AlCrSi靶和CrMo靶；先在基体上沉积15~20min金属化合物CrN过渡层，再沉积AlCrSiNAlCrMoSiN纳米多层复合涂层，沉积AlCrSiNAlCrMoSiN纳米多层复合涂层时：本底真空为6×10-3Pa以上，沉积压强调节至1.5Pa~1.6Pa，然后交替沉积AlCrSiN调制层和AlCrMoSiN调制层形成AlCrSiNAlCrMoSiN纳米多层复合涂层；制备AlCrSiN调制层时，开启AlCrSi靶，AlCrSi靶功率1.1~1.2kw，设置偏压为-120V～-150V，占空比50%，通入Ar和N2；制备AlCrMoSiN调制层时，保持偏压-120V～-150V，开启AlCrSi靶、CrMo靶，AlCrSi靶功率1.0kW～1.2kW，CrMo靶功率0.3kW～0.4kW，通入Ar和N2；根据所需调制层的厚度以及调制比设置不同靶材开启时间及气体通入时间；沉积AlCrSiN调制层时，通入Ar的流量为200～210sccm，通入N2流量为40～50sccm，气体总流量250sccm；沉积AlCrMoSiN调制层时，通入Ar的流量为210sccm，通入N2的流量为40～50sccm，气体总流量250sccm；所制备的AlCrSiNAlCrMoSiN纳米多层复合涂层是由AlCrSiN调制层和AlCrMoSiN调制层交替叠加而成，涂层调制周期为55-175nm，周期数≥10；所述AlCrSiN调制层和AlCrMoSiN调制层的调制比为1:1~9:1。

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