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申请/专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
摘要：本申请实施例公开了一种LTPO阵列基板及其制备方法，该LTPO阵列基板制备方法包括提供一衬底；在衬底上方依次沉积第一无机材料层、第二无机材料层、第三无机材料层，通过一道光罩对第一无机材料层、第二无机材料层、第三无机材料层进行黄光工艺，制备得到深度不同的第一过孔、第二过孔、第三过孔，从而节省了至少一道光罩，进而实现了八道光罩制备得到LTPO阵列基板，相对于现有LTPO阵列基板制备方法，大大降低了成本。
主权项：1.一种LTPO阵列基板制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上沉积一绝缘材料层制备得到缓冲层；在所述缓冲层上沉积第一半导体材料层，通过第一道光罩对所述第一半导体材料层进行黄光工艺，制备得到第一有源层，并在所述第一有源层上方沉积第一无机材料层；在所述第一无机材料层上沉积第一金属材料层，通过第二道光罩对所述第一金属材料层进行黄光工艺，制备得到第一栅极层，所述第一栅极层包括同层设置且制备材料相同的第一栅极、第一源极、第一漏极；在所述第一栅极层、所述第一无机材料层上沉积第二无机材料层；在所述第二无机材料层上沉积第二半导体材料层，通过第三道光罩对所述第二半导体材料层进行黄光工艺，制备得到第二有源层；在所述第二有源层、所述第二无机材料层上沉积第三无机材料层，采用第四道光罩对所述第一无机材料层、所述第二无机材料层、所述第三无机材料层进行黄光工艺，利用所述第一无机材料层制备得到第一栅绝缘层，利用所述第二无机材料层制备得到第二栅绝缘层，利用所述第三无机材料层制备得到第三栅绝缘层；在所述第二有源层、所述第三栅绝缘层上沉积第二金属材料层，通过第五道光罩对所述第二金属材料层采用黄光工艺，制备得到第二栅极层，所述第二栅极层包括同层设置且制备材料相同的第二栅极、第二源极、第二漏极。
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