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申请/专利权人：福建华佳彩有限公司
摘要：本发明公开一种高解析度的5T2CLTPO内部补偿电路及其控制方法，其包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、电容C1、电容C2和发光二极管OLED，晶体管T2和晶体管T3均为多晶硅薄膜晶体管且均设置于基板与介质层之间，晶体管T1、晶体管T4和晶体管T5均为氧化物薄膜晶体管且均设置于介质层上方；本发明的补偿电路消除VTH漂移以及I‑Rdrop导致的亮度不均匀的问题，同时该分层架构使Pixel所占面积较小，面板容纳Pixel数量较多，解析度较高。
主权项：1.一种高解析度的5T2CLTPO内部补偿电路，其特征在于：其包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、电容C1、电容C2和发光二极管OLED，晶体管T2和晶体管T3均为多晶硅薄膜晶体管且均设置于基板与介质层之间，晶体管T1、晶体管T4和晶体管T5均为氧化物薄膜晶体管且均设置于介质层上方；晶体管T1的栅极接第一扫描信号，晶体管T1的源极接数据信号，晶体管T1的漏极分别与电容C1的一端、晶体管T2的栅极和晶体管T5的源极点连接，电容C1的另一端分别连接晶体管T4的源极、电容C2的一端和发光二极管OLED的阳极；晶体管T4的栅极连接重置信号Reset，晶体管T4的源极连接电压Vsus；晶体管T5的栅极接第二扫描信号，晶体管T5的源极连接基准电压Vref；电容C2的另一端连接发光二极管OLED的阴极；晶体管T2的漏极连接晶体管T3的源极，晶体管T3的漏极连接电源正极OVDD，晶体管T3的栅极连接使能信号EM；晶体管T2的源极连接发光二极管OLED的阳极，光二极管OLED的阴极接电源负极OVSS。
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百度查询： 福建华佳彩有限公司 一种高解析度的5T2C LTPO内部补偿电路及其控制方法
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