龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：芜湖西晶微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及一种低掺杂型4H‑SiC欧姆接触及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在器件的SiC层的上表面交替生长W种子层和C种子层形成合金种子层，其中，合金种子层中第一层的W种子层与SiC层接触；步骤2：在合金种子层的上表面生长Pad层，其中，合金种子层中最后一层的C种子层与Pad层接触；步骤3：对器件进行快速热退火处理，以使合金种子层与SiC层形成欧姆接触。本发明的低掺杂型4H‑SiC欧姆接触的制备方法，SiC层为低掺杂型SiC，无需额外的高能离子注入，节省了工艺成本且避免了离子注入带来的器件损伤，此外，制备得到的欧姆接触性能良好、热可靠性高。
主权项：1.一种低掺杂型4H-SiC欧姆接触的制备方法，其特在于，包括：步骤1：在器件的SiC层的上表面交替生长W种子层和C种子层形成合金种子层，其中，所述合金种子层中第一层的W种子层与所述SiC层接触；步骤2：在所述合金种子层的上表面生长Pad层，其中，所述合金种子层中最后一层的C种子层与所述Pad层接触；步骤3：对所述器件进行快速热退火处理，以使所述合金种子层与所述SiC层形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芜湖西晶微电子科技有限公司 一种低掺杂型4H-SiC欧姆接触及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号