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申请/专利权人：中国科学院高能物理研究所
摘要：本发明提供一种基于源装置的正电子湮没寿命测量系统及方法，包括源室、起始伽马探测器、停止伽马探测器和正电子探测器；22Na放射源固定于源室表面，源室与正电子探测器紧贴薄膜样品两侧且呈相向对称放置，位置相对固定；起始伽马探测器和停止伽马探测器放置于正电子探测器两侧，分别负责对放射源发射正电子时级联产生的1.28MeV伽马光子和正电子湮没后产生的0.511MeV伽马光子进行探测。本发明通过提高非样品侧正电子射程，减小远端湮没伽马光子探测效率实现噪声正电子的有效去除，减少了电子学体量；在样品侧精准识别正电子湮没位置，排除非样品中正电子湮没成分，突破测量样品厚度限制，实现薄膜样品正电子湮没寿命测量。
主权项：1.一种基于源装置的正电子湮没寿命测量系统，其特征在于：包括源室、起始伽马探测器、停止伽马探测器和正电子探测器；22Na放射源固定于源室表面，源室与正电子探测器紧贴薄膜样品两侧且呈相向对称放置，位置相对固定；起始伽马探测器和停止伽马探测器以放射源为中心放置于正电子探测器两侧，分别负责对放射源发射正电子时级联产生的1.28MeV伽马光子和正电子湮没后产生的0.511MeV伽马光子进行探测；测量时，通过提高非样品侧正电子射程，减小远端湮没伽马光子探测效率实现噪声正电子的有效去除；在样品侧精准识别正电子湮没位置，排除非样品中正电子湮没成分，实现薄膜样品正电子湮没寿命测量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院高能物理研究所 基于源装置的正电子湮没寿命测量系统及方法
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