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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种优化HKMG金属栅层台阶高度的方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出有源区，有源区上形成有不同图形密度的半导体结构，半导体结构包括：形成于有源上的源、漏区；形成于衬底上的层间介质层，层间介质层上形成有用于定义金属栅形成位置的沟槽；形成于沟槽上的叠层结构；在叠层结构上形成覆盖沟槽的金属栅层，金属栅层为第一厚度；在金属栅层上形成硅酸乙酯层，硅酸乙酯层为第二厚度；研磨硅酸乙酯层及其下方的金属栅层至金属栅层为目标厚度。本发明不仅能够减小了晶圆中心和边缘的台阶高度差异，有助于优化由于图形密度差异导致的金属栅台阶高度均匀性，工艺稳定性得到改善，晶圆中心和边缘及不同图形密度内器件电学性能得到提高。
主权项：1.一种优化HKMG金属栅层台阶高度的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有STI以定义出有源区，所述有源区上形成有不同图形密度的半导体结构，所述半导体结构包括：形成于所述有源上的源、漏区；形成于所述衬底上的层间介质层，所述层间介质层上形成有用于定义金属栅形成位置的沟槽；形成于沟槽上的叠层结构；步骤二、在所述叠层结构上形成覆盖所述沟槽的金属栅层，所述金属栅层为第一厚度；步骤三、在所述金属栅层上形成硅酸乙酯层，所述硅酸乙酯层为第二厚度；步骤四、研磨硅酸乙酯层及其下方的所述金属栅层至所述金属栅层为目标厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 优化HKMG金属栅层台阶高度的方法
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