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申请/专利权人:上海华力集成电路制造有限公司
摘要:本发明提供一种HKMG寄生电容测试结构的版图,包括伪栅图形;设于伪栅图形间及伪栅图形上的多个接触孔图形;设于伪栅图形上且长度小于伪栅图形的伪栅有源区图形,伪栅有源区图形与接触孔图形不重叠。本发明的版图中设计的电容结构不增加任何工艺成本,且有效降低金属栅凹陷效应造成的工艺缺陷,便于实际生产应用,适用于后段金属连线寄生电容值的提取,有效计算氧化层电学厚度。
主权项:1.一种HKMG寄生电容测试结构的版图,其特征在于,包括:伪栅图形;设于所述伪栅图形间及所述伪栅图形上的多个接触孔图形;设于所述伪栅图形上且长度小于所述伪栅图形的伪栅有源区图形,所述伪栅有源区图形与所述接触孔图形不重叠。
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百度查询: 上海华力集成电路制造有限公司 HKMG寄生电容测试结构的版图
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