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申请/专利权人：浙江驰拓科技有限公司
摘要：本发明提供了一种磁存储结构及基于其的探知干扰方法，该磁存储结构包括磁性存储区、非磁性存储区和校验电路。磁性存储区包含主存储区和监测存储区，监测存储区用于写入初始监测数据。非磁性存储区包括校验存储区，校验存储区用于写入校验数据。校验电路用于获取监测存储区当前存储的监测数据，并使用校验数据校验监测数据，以判断写入监测存储区内的初始监测数据是否被改写。基于同样为磁存储的主存储区和监测存储区具有相同的干扰特性，通过监测存储区的数据改写情况来推断存储在主存储区内的数据是否被改写，探知磁存储结构在高温、高强度磁场等恶劣环境的干扰下，存储的数据是否被改写，能够提高探知干扰的准确性。简化结构，降低成本。
主权项：1.一种磁存储结构，其特征在于，包括：磁性存储区，包括主存储区和监测存储区，其中，所述监测存储区用于写入初始监测数据；非磁性存储区，包括校验存储区；所述校验存储区用于写入校验数据，所述校验数据根据所述初始监测数据生成；校验电路，用于获取所述监测存储区当前存储的监测数据，并使用所述校验数据校验所述监测数据，以判断写入所述监测存储区内的所述初始监测数据是否被改写。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江驰拓科技有限公司 一种磁存储结构及基于其的探知干扰方法
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