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申请/专利权人:核工业第八研究所
摘要:本发明涉及一种长尺寸SiCfSiC复合材料包壳PyCSiCn多层界面层及其制备方法,PyCSiCn多层界面层位于SiC纤维和SiC基体之间,其由内向外依次由PyC界面层和SiC界面层交替沉积组成,所述PyCSiCn多层界面层中的n为PyC界面层和SiC界面层交替沉积的次数,n的范围为1‑3,所述PyCSiCn多层界面层的总厚度为100nm~1000nm,所述PyCSiCn多层界面层采用化学气相沉积工艺制备。与现有技术相比,本发明通过CVD工艺工装交替沉积制备PyC界面层和SiC界面层形成的PyCSiCn多层界面层,实现了PyCSiCn多层界面层的均匀沉积,也提高了SiCfSiC复合材料包壳的抗氧化性能、界面稳定性和力学性能。
主权项:1.一种长尺寸SiCfSiC复合材料包壳PyCSiCn多层界面层,位于SiC纤维与SiC基体之间,其特征在于,由内向外依次由PyC界面层和SiC界面层交替沉积组成。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 核工业第八研究所 一种长尺寸SiCf/SiC复合材料包壳(PyC/SiC)n多层界面层及其制备方法
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