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申请/专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SiC基RC‑IGBT结构及其制备方法。RC‑IGBT结构包括第一导电类型的半导体衬底；所述半导体衬底的正面有元胞结构，半导体衬底的背面有集电极结构。其特点是，所述半导体衬底由SiC材料制备而成。该RC‑IGBT结构的内置二极管Vf小，反向恢复时间短。
主权项：1.一种SiC基RC-IGBT的结构，包括第一导电类型的半导体衬底；所述半导体衬底的正面有元胞结构，半导体衬底的背面有集电极结构；其特征在于，所述半导体衬底由SiC材料制备而成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏捷捷微电子股份有限公司 一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法
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