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申请/专利权人：中国南方电网有限责任公司
摘要：本发明涉及SiCMOSFET建模技术领域，公开了一种SiCMOSFET模型的构建方法及装置。该方法建立电容数据采集模型；将若干个栅源电压和漏源电压的组合参数输入电容数据采集模型中，得到若干组电容数据；通过组合栅源电压、漏源电压数据和电容数据得到若干组组合数据；建立栅源电容、栅漏电容和漏源电容的模型公式；基于若干组组合数据对栅源电容、栅漏电容和漏源电容的模型公式进行参数拟合，分别得出栅源电容、栅漏电容和漏源电容的双电压影响模型，从而构建SiCMOSFET开关模型。本发明考虑了结电容的双电压影响特性，提高了SiCMOSFET模型的适用性和建模准确度。
主权项：1.一种SiCMOSFET模型的构建方法，其特征在于，包括：建立电容数据采集模型；将若干个预设的栅源电压和漏源电压的组合参数输入所述电容数据采集模型中，得到若干组电容数据；其中，所述电容数据包括栅源电容数据、栅漏电容数据和漏源电容数据；将预设的若干组栅源电压和漏源电压，以及采集得到的若干组电容数据进行对应组合，获取若干组组合数据；分别建立栅源电容、栅漏电容和漏源电容的模型公式；基于若干组所述组合数据对栅源电容、栅漏电容和漏源电容的模型公式进行参数拟合，分别得出栅源双电压影响模型、栅漏双电压影响模型和漏源双电压影响模型；结合所述栅源双电压影响模型、所述栅漏双电压影响模型和所述漏源双电压影响模型，构建SiCMOSFET开关模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国南方电网有限责任公司 一种SiC MOSFET模型的构建方法及装置
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