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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明涉及表面处理技术领域，尤其涉及一种具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜及其制备方法，采用四靶磁控溅射离子镀和退火热处理两步法进行制备，具体步骤如下：S1，采用MoB2、Mo和双Al靶四靶体系在衬底材料上进行溅射沉积，获得沉积态薄膜；S2，对沉积态薄膜进行退火热处理，获得具有222型MAB相结构的晶态MoAlB陶瓷薄膜。本发明采用磁控溅射离子镀及退火热处理两步法能够在低温条件下获得具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜；同时可以实现对特定成分和微观结构MoAlB薄膜的可控制备，且工艺稳定、易于实现产业化生产。
主权项：1.一种具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜制备方法，其特征在于，采用四靶磁控溅射离子镀和退火热处理两步法进行制备，具体步骤如下：S1，采用MoB2、Mo和双Al靶四靶体系在衬底材料上进行溅射沉积，获得沉积态薄膜；S2，对沉积态薄膜进行退火热处理，获得具有222型MAB相结构的晶态MoAlB陶瓷薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 一种具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜及其制备方法
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