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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种NiGen‑Ge肖特基二极管的制备方法。该方法包括：将Ge片作为衬底，预处理；然后Ge片上长隔离层，光刻出图形，再经过一次光刻；依次蒸镀Al和Ni，然后去除不在图形内的金属；退火，再去除多余的Ni，蒸镀正反电极。该方法可以有效缓解费米能级钉扎效应，降低NiGen‑Ge肖特基势垒高度，并且使得NiGe在400℃到600℃保持热稳定性。
主权项：1.一种NiGe-Ge肖特基二极管的制备方法，包括：1将Ge片作为衬底，预处理；2在步骤1中预处理的Ge片上长隔离层，光刻出图形，再经过一次光刻；3光刻后依次蒸镀Al和Ni，Al的厚度为0.8～1.1nm，Ni的厚度为8～12nm，然后去除不在图形内的金属；4去除不在图形内的金属后退火，再去除多余的Ni，蒸镀正反电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种NiGe/n-Ge肖特基二极管的制备方法
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