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申请/专利权人：威海银创微电子技术有限公司

摘要：本发明涉及半导体技术领域，揭露了一种SGTMosfet中IPO厚度的可控方法，包括：将非掺杂氧化硅及源极多晶硅沉积在硅沟槽衬底的沟槽内，得到初始沉积沟槽，去除部分非掺杂氧化硅，得到原始待氧化沉积沟槽，在源极多晶硅的表面植入氮原子，得到目标待氧化多晶硅层，氧化目标待氧化多晶硅层及原始待氧化沉积沟槽的内壁，分别得到目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层，在目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层的表面，沉积栅极多晶硅，完成IPO厚度的调控。本发明还提出一种SGTMosfet中IPO厚度的可控装置、电子设备以及计算机可读存储介质。本发明可以解决改善源极和栅极的耐压不足和漏电的现象时，需要耗费较高的人力物力，制造成本较高的问题。

主权项：1.一种SGTMosfet中IPO厚度的可控方法，其特征在于，所述方法包括：获取硅沟槽衬底，将预构建的非掺杂氧化硅及源极多晶硅，在所述硅沟槽衬底的沟槽内进行沉积，得到初始沉积沟槽；按照预定的深度去除标准，将所述初始沉积沟槽中的部分非掺杂氧化硅进行去除，得到原始待氧化沉积沟槽；利用预构建的植氮设备，在所述原始待氧化沉积沟槽内的源极多晶硅的表面，植入预定浓度及能量的氮原子，得到目标待氧化多晶硅层；氧化所述目标待氧化多晶硅层及所述原始待氧化沉积沟槽的内壁，分别得到目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层；在所述目标厚度IPO氧化层及所述目标厚度栅极氧化层的表面，沉积预构建的栅极多晶硅，完成IPO厚度的调控；所述获取硅沟槽衬底，包括：获取原始衬底，按照预定的SGTMosfet的结构分区，在所述原始衬底的表面确定刻蚀区；在所述原始衬底的刻蚀区上，利用预构建的硅沟槽刻蚀工艺，对所述原始衬底进行刻蚀，得到所述硅沟槽衬底；所述将预构建的非掺杂氧化硅及源极多晶硅，在所述硅沟槽衬底的沟槽内进行沉积，得到初始沉积沟槽，包括：将所述非掺杂氧化硅进行液化，得到液化非掺杂氧化硅；调节所述液化非掺杂氧化硅的环境温度，得到气化非掺杂氧化硅；将所述气化非掺杂氧化硅在所述硅沟槽衬底的沟槽内进行均匀沉积，得到覆盖硅沉积层的硅沉积沟槽；将所述源极多晶硅，在所述硅沉积沟槽内进行沉积，得到源极沉积沟槽；对所述源极沉积沟槽的内表面及源极多晶硅进行打磨，得到所述初始沉积沟槽；所述按照预定的深度去除标准，将所述初始沉积沟槽中的部分非掺杂氧化硅进行去除，得到原始待氧化沉积沟槽，包括：测算所述初始沉积沟槽内源极多晶硅的深度；按照预定的深度去除标准，根据所述源极多晶硅的深度，确定所述硅沉积层的去除深度数值；将所述初始沉积沟槽内的硅沉积层，按照所述去除深度数值进行划分，得到硅沉积层应去除部分；去除所述硅沉积层应去除部分，得到所述原始待氧化沉积沟槽；所述利用预构建的植氮设备，在所述原始待氧化沉积沟槽内的源极多晶硅的表面，植入预定浓度及能量的氮原子，得到目标待氧化多晶硅层，包括：获取目标IPO厚度值，利用所述植氮设备，根据所述目标IPO厚度值，制备目标浓度及能量的氮原子；利用所述植氮设备，将所述目标浓度及能量的氮原子，植入所述源极多晶硅的上表面，得到所述目标待氧化多晶硅层；所述利用预构建的植氮设备，在所述原始待氧化沉积沟槽内的源极多晶硅的表面，植入预定浓度及能量的氮原子之前，所述方法还包括：设置浓度及能量递增的氮原子梯度集，在所述氮原子梯度集中依次提取不同浓度及能量的氮原子梯度值；利用预构建的原始植氮设备，按照所述氮原子梯度值，制备相应浓度及能量的氮原子，得到待测梯度氮原子；利用所述原始植氮设备，将所述待测梯度氮原子，植入预构建的多晶硅表面及硅沉积体表面，分别得到测试待氧化多晶硅层及测试待氧化硅沉积层；氧化所述测试待氧化多晶硅层及测试待氧化硅沉积层，分别得到测试多晶硅氧化层及测试硅沉积氧化层；测定所述测试多晶硅氧化层及测试硅沉积氧化层的厚度值，得到测试多晶硅氧化厚度值及测试硅沉积氧化厚度值；根据所述氮原子梯度集中，每一个氮原子梯度值及对应的测试多晶硅氧化厚度值，构建氮原子梯度-IPO厚度调控表；根据所述氮原子梯度集中，每一个氮原子梯度值及对应的测试硅沉积氧化厚度值，构建氮原子梯度-沉积层氧化厚度调控表；将所述氮原子梯度-IPO厚度调控表及氮原子梯度-沉积层氧化厚度调控表，录入所述原始植氮设备，得到所述植氮设备；所述在所述目标厚度IPO氧化层及所述目标厚度栅极氧化层的表面，沉积预构建的栅极多晶硅，完成IPO厚度的调控，包括：根据所述目标厚度IPO氧化层的氧化厚度及所述硅沟槽衬底的沟槽深度，确定所述栅极多晶硅的深度，得到栅极多晶硅深度值；按照所述栅极多晶硅深度值，将所述栅极多晶硅在所述目标厚度IPO氧化层的上方进行沉积，得到含有目标IPO厚度的SGTMosfet。

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