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申请/专利权人：威海银创微电子技术有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，揭露了一种SGTMosfet中IPO厚度的可控方法，包括：将非掺杂氧化硅及源极多晶硅沉积在硅沟槽衬底的沟槽内，得到初始沉积沟槽，去除部分非掺杂氧化硅，得到原始待氧化沉积沟槽，在源极多晶硅的表面植入氮原子，得到目标待氧化多晶硅层，氧化目标待氧化多晶硅层及原始待氧化沉积沟槽的内壁，分别得到目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层，在目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层的表面，沉积栅极多晶硅，完成IPO厚度的调控。本发明还提出一种SGTMosfet中IPO厚度的可控装置、电子设备以及计算机可读存储介质。本发明可以解决改善源极和栅极的耐压不足和漏电的现象时，需要耗费较高的人力物力，制造成本较高的问题。
主权项：1.一种SGTMosfet中IPO厚度的可控方法，其特征在于，所述方法包括：获取硅沟槽衬底，将预构建的非掺杂氧化硅及源极多晶硅，在所述硅沟槽衬底的沟槽内进行沉积，得到初始沉积沟槽；按照预定的深度去除标准，将所述初始沉积沟槽中的部分非掺杂氧化硅进行去除，得到原始待氧化沉积沟槽；利用预构建的植氮设备，在所述原始待氧化沉积沟槽内的源极多晶硅的表面，植入预定浓度及能量的氮原子，得到目标待氧化多晶硅层；氧化所述目标待氧化多晶硅层及所述原始待氧化沉积沟槽的内壁，分别得到目标厚度IPO氧化层及目标厚度栅极氧化层；在所述目标厚度IPO氧化层及所述目标厚度栅极氧化层的表面，沉积预构建的栅极多晶硅，完成IPO厚度的调控。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 威海银创微电子技术有限公司 SGT Mosfet中IPO厚度的可控方法、装置及介质
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