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申请/专利权人：深圳市宏旺微电子有限公司
摘要：本实用新型公开了一种DDR3的UDIMM电路结构,包含DDR3接口模组、数据读取模块、至少一个排阻模块、至少一个DDR3电路、VCC供电电路与VTT供电电路,所述的DDR3接口模组分别电性连接所述的DDR3电路、数据读取模块与排阻模块，所述的排阻模块还电性连接所述的DDR3电路,所述的VCC供电电路分别电性连接所述的DDR3接口模组与DDR3电路，为所述的DDR3接口模组与DDR3电路供电,所述的VTT供电电路性连接所述的DDR3接口模组，为所述的DDR3接口模组供电,所述的排阻模块与所述的DDR3电路的数量相同,在本实用新型的电路结构下DDR3内存颗粒的传输速度可以稳定地达到2400MTS。
主权项：1.一种DDR3的UDIMM电路结构,包含DDR3接口模组、数据读取模块、至少一个排阻模块、至少一个DDR3电路、VCC供电电路与VTT供电电路,其特征在于:所述的DDR3接口模组分别电性连接所述的DDR3电路、数据读取模块与排阻模块，所述的排阻模块还电性连接所述的DDR3电路；所述的VCC供电电路分别电性连接所述的DDR3接口模组与DDR3电路，为所述的DDR3接口模组与DDR3电路供电；所述的VTT供电电路性连接所述的DDR3接口模组，为所述的DDR3接口模组供电；所述的排阻模块与所述的DDR3电路的数量相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市宏旺微电子有限公司 一种DDR3的UDIMM电路结构
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