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申请/专利权人：福建福晶科技股份有限公司
摘要：本发明公开一种磁光晶体生长方法，采用高纯的Ga2O3和Tb4O7为原料，采用提拉法生长，采用双层铱金坩埚，上下坩埚连通，为高质量TGG提供一个稳定的生长环境。
主权项：1.一种高质量TGG磁光晶体生长方法，其特征在于采用高纯的Ga2O3和Tb4O7为原料，采用提拉法生长，采用双层铱金坩埚，上下坩埚连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建福晶科技股份有限公司 一种高质量TGG磁光晶体生长方法
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