买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：斯坦雷电气株式会社

摘要：提供一种光偏转器的制造方法，能够不受基板层蚀刻的影响地在该基板层上形成具有均匀的膜厚的压电膜层且能够抑制可动支承部的异常振动。通过从SiO2层35一侧对SOI晶圆30实施蚀刻，在外侧压电致动器15a的形成区域形成向SiO2层35一侧开口的空洞43，并用SiO2层45覆盖空洞43的露出面。接着，将SOI晶圆30的SiO2层35与SOI晶圆50的支承层52接合，制造封入了空洞43的SOI晶圆56。此后，在SOI晶圆56的背面侧形成凹部63之后，从背面侧沿凹部63的深度方向进行各向异性蚀刻，去除SiO2层45。

主权项：1.一种光偏转器的制造方法，其中，所述光偏转器具备：镜部；可动支承部；固定支承部；第一压电致动器，其介于所述镜部与所述可动支承部之间，使所述镜部绕第一旋转轴以共振频率往复转动；以及，第二压电致动器，其介于所述可动支承部与所述固定支承部之间，使所述镜部绕与所述第一旋转轴相交的第二旋转轴以比所述共振频率低的非共振频率往复转动，所述制造方法的特征在于，具备：第一工序，对第一Si晶圆的第二SiO2层一侧的面设定蚀刻区域及非蚀刻区域，所述第一Si晶圆具有层叠结构，该层叠结构在厚度方向上依次配置有第一SiO2层、第一Si层及所述第二SiO2层，在所述蚀刻区域至少包括所述第二压电致动器的形成区域，在所述非蚀刻区域中至少包括所述可动支承部的形成区域，从所述第二SiO2一侧对所述第一Si晶圆的仅所述蚀刻区域进行蚀刻，在所述第一Si层形成向所述第二SiO2一侧开口的空洞；第二工序，利用第三SiO2层覆盖所述空洞的露出面；第三工序，将在厚度方向上具有第四SiO2层和第二Si层的层叠结构的第二Si晶圆的所述第二Si层一侧的面与所述第一Si晶圆的第二SiO2层一侧的面接合，制成封入有所述空洞的第三Si晶圆；第四工序，在所述第三Si晶圆的所述第一SiO2层一侧遍及整面地依次层叠下侧电极层、压电膜层以及上侧电极层作为压电致动器的层叠结构层；第五工序，从所述第三Si晶圆的表面侧进行各向异性干式蚀刻直至到达所述第二SiO2层的表面侧的深度，形成所述第一压电致动器以及所述第二压电致动器；第六工序，从所述第三Si晶圆的背面侧进行蚀刻直至到达所述第二SiO2层的背面侧的深度，在所述第三Si晶圆的背面侧形成被所述固定支承部的内周壁包围的凹部；以及，第七工序，从所述第三Si晶圆的背面侧沿所述凹部的深度方向进行各向异性干式蚀刻，去除所述第二SiO2层和所述第三SiO2层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 斯坦雷电气株式会社 光偏转器的制造方法及光偏转器