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申请/专利权人：高通股份有限公司
申请日：2015-12-02
公开（公告）日：2017-08-01
公开（公告）号：CN107004445A
专利技术分类：.....只使用场效应晶体管的[2006.01]
专利摘要：一种操作静态随机存取存储器SRAM存储元件的方法包括：在掉电事件之前将一值编程到该SRAM存储元件。该方法进一步包括：响应于在掉电事件之后在SRAM存储元件处的上电事件，增加SRAM存储元件的电源电压并感测SRAM存储元件的状态，以确定在掉电事件之前被编程到SRAM存储元件的值。在一特定示例中，一种装置包括：SRAM存储元件以及耦合到该SRAM存储元件的控制电路系统。该控制电路系统可被配置成：将值编程到SRAM存储元件，增加电源电压，并感测SRAM存储元件的状态以确定在掉电事件之前被编程到SRAM存储元件的值。
专利权项：一种操作静态随机存取存储器SRAM存储元件的方法，所述方法包括：在掉电事件之前将一值编程到所述SRAM存储元件；以及响应于在所述掉电事件之后在所述SRAM存储元件处的上电事件：增加所述SRAM存储元件的电源电压；以及感测所述SRAM存储元件的状态以确定在所述掉电事件之前被编程到所述SRAM存储元件的所述值。
百度查询： 高通股份有限公司 易失性/非易失性SRAM器件
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