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申请/专利权人：索尼公司
申请日：2011-10-08
公开（公告）日：2018-08-28
公开（公告）号：CN105514114B
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供了非易失性存储元件组、非易失性存储元件及其制造方法，所述非易失性存储元件组包括：A第一绝缘层；B第二绝缘层，其具有第一凹部以及与第一凹部连通的第二凹部，且第二凹部的宽度大于第一凹部的宽度，并且第二绝缘层布置于第一绝缘层上；C多个电极，它们布置于第一绝缘层中，并且多个电极的顶面从第一凹部的底面露出；D信息存储层，其形成于第一凹部和第二凹部的侧壁和底面上；以及E导电材料层，其填充在由第二凹部中的信息存储层围成的空间中。本发明可避免由于图形化而对信息存储层造成损伤。此外，可避免膜的剥落。还可简化制造工艺。
专利权项：1.一种非易失性存储元件组，其包括：A第一绝缘层；B第二绝缘层，其具有第一凹部以及与所述第一凹部连通的第二凹部，所述第二凹部的宽度大于所述第一凹部的宽度，并且所述第二绝缘层布置于所述第一绝缘层上；C多个电极，它们布置于所述第一绝缘层中，并且每个所述电极的顶面在所述第一凹部的底面处露出；D信息存储层，其形成于所述第一凹部和所述第二凹部的侧壁和底面上，其中所述信息存储层包括通过电阻的变化来存储信息的电阻变化层，并且所述电阻变化层具有高电阻层和离子源层的层叠结构；以及E导电材料层，其填充在由所述第二凹部中的所述离子源层围成的空间中，其中，所述电阻变化层的电阻基于来自所述离子源层的离子在所述高电阻层和所述离子源层之间的移动而变化。
百度查询： 索尼公司 非易失性存储元件、非易失性存储元件组及其制造方法
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