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龙图腾网恭喜科锐LED公司申请的专利包括倒装芯片发光二极管的发光设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110604945.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权包括倒装芯片发光二极管的发光设备是由迈克尔·约翰·贝格曼;马修·多诺弗里奥;彼得·斯考特·安德鲁斯;科林·布莱克利;特洛伊·古尔德;杰克·维优设计研发完成，并于2016-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括倒装芯片发光二极管的发光设备在说明书摘要公布了：公开了一种包括倒装芯片发光二极管的发光设备，倒装芯片发光二极管包括：多个半导体层，包括第一半导体层和第二半导体层，发光有源区域布置在第一半导体层与第二半导体层之间；多层反射器，被布置成接近于多个半导体层，包括金属反射器层和电介质反射器层，其中，电介质反射器层布置在金属反射器层与多个半导体层之间；钝化层，布置在金属反射器层与第一电接触和第二电接触之间；以及导电微接触的第一阵列，延伸通过钝化层并且提供第一电接触与第一半导体层之间的电通信；导电微接触的第二阵列，延伸通过钝化层并且提供第二电接触与第二半导体层之间的电通信；势垒层，包括布置在金属反射器层与钝化层之间的多个金属；多个半导体层形成台面。

本发明授权包括倒装芯片发光二极管的发光设备在权利要求书中公布了：1.一种包括倒装芯片发光二极管的发光设备，所述倒装芯片发光二极管包括：多个半导体层，包括含第一类型的掺杂质的第一半导体层和含第二类型的掺杂质的第二半导体层，其中，发光有源区域布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；多层反射器，被布置成接近于所述多个半导体层，所述多层反射器包括金属反射器层和电介质反射器层，其中，所述电介质反射器层布置在所述金属反射器层与所述多个半导体层之间；钝化层，布置在所述金属反射器层与i第一电接触和ii第二电接触之间，其中，所述第一电接触被布置成与所述第一半导体层导电电通信，并且所述第二电接触被布置成与所述第二半导体层导电电通信；以及导电微接触的第一阵列，从所述钝化层的与所述第一电接触接触的表面延伸通过所述钝化层并且提供所述第一电接触与所述第一半导体层之间的电通信；导电微接触的第二阵列，从所述钝化层的与所述第二电接触接触的表面延伸通过所述钝化层并且提供所述第二电接触与所述第二半导体层之间的电通信；势垒层，包括布置在所述金属反射器层与所述钝化层之间的多个金属，其中，导电微接触的所述第一阵列和导电微接触的所述第二阵列中的至少一者延伸通过所述势垒层；其中，所述多个半导体层形成台面，所述第一半导体层、所述发光有源区域和所述第二半导体层的每一个的外围部分形成横向地界定所述台面的至少一个凹部的侧壁，所述第一半导体层具有竖直界定所述台面的表面延伸，并且所述台面具有由所述侧壁横向界定的主表面，所述主表面相对于所述表面延伸是均匀的高度，所述多层反射器布置在所述台面的所述主表面的至少90％之上并且布置在所述台面与所述钝化层之间。

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