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龙图腾网恭喜恩智浦美国有限公司申请的专利低泄漏隔离单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109768795B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201711101171.3，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权低泄漏隔离单元是由王沛东;檀苗林;戈喆设计研发完成，并于2017-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本低泄漏隔离单元在说明书摘要公布了：一种隔离单元，其箝位由断电的第一电源域传送到供电的第二电源域的信号。为减小泄漏电流，部分电路和器件连接到第一电源域或“from”电源域，而另一部分电路和器件连接到第二电源域或“to”电源域。

本发明授权低泄漏隔离单元在权利要求书中公布了：1.一种用于连接在第一电路模块与第二电路模块之间的隔离单元，其中第一电路模块与第二电路模块包括不同的电源域，其特征在于，所述隔离单元包括：配置为由所述第一电路模块接收输入信号的输入端；配置为向第二电路模块提供输出信号的输出端；配置为接收控制信号的控制端，其中所述隔离单元响应于所述控制信号而由所述输入信号生成所述输出信号；用于耦合到所述第一电路模块的第一供电电压的第一电源端；用于耦合到所述第二电路模块的第二供电电压的第二电源端；第一反相器，其具有耦合到所述控制端以接收所述控制信号的输入端，其中所述第一反相器耦合到所述第一电源端以由第一供电电压供电；以及第二反相器，其具有耦合到所述输出端以向其提供所述输出信号的输出端，其中所述第二反相器由第一供电电压供电；所述第一反相器包括：第一PMOS晶体管，其具有耦合到所述控制端以接收所述控制信号的栅极、耦合到所述第一电源端的源极、以及漏极；第一NMOS晶体管，其具有耦合到所述控制端的栅极、耦合到所述第一PMOS晶体管的漏极的漏极、以及源极；以及第二NMOS晶体管，其具有耦合到所述控制端的栅极、耦合到所述第一NMOS晶体管的源极的漏极、以及耦合到地的源极；其中所述第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的漏极之间的节点提供所述第一反相器的输出；以及其中所述第二反相器包括：第二PMOS晶体管，其具有被耦合以接收中间输入信号的栅极、耦合到第一电源端的源极、以及漏极；以及第三NMOS晶体管，其具有耦合到第二PMOS晶体管的栅极的栅极、耦合到第二PMOS晶体管的漏极的漏极、以及耦合到地的源极；其中所述第二PMOS晶体管的漏极与所述第三NMOS晶体管的漏极之间的节点与所述输出端耦合。

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