买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜赛英特半导体技术(西安)有限公司申请的专利一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110824325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911104414.8，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法是由王煜设计研发完成，并于2019-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法，UIS测试电路包括直流电源、电感器、开关、二极管、栅极驱动模块、线路阻抗、MOSFET和电流采样模块，直流电源的正极通过开关与电感器连接，电感器经过线路阻抗连接被测MOSFET的漏极，被测MOSFET的栅极连接于栅极驱动模块，栅极驱动模块通过控制信号控制源极和漏极之间的通断，被测MOSFET的源极通过电流采样部件连接于直流电源的负极，二极管与被测MOSFET并联维持回路中的电流。本发明的一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法，能够快速准确的测试MOSFET的雪崩能量并对其进行补偿。

本发明授权一种UIS测试电路及其MOSFET雪崩能量补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET雪崩能量补偿方法，使用的UIS测试电路包括直流电源1、电感器2、开关3、二极管4、栅极驱动模块5、线路阻抗6、MOSFET7和电流采样模块8；所述直流电源1的正极通过开关3与电感器2连接；所述电感器2经过线路阻抗6连接被测MOSFET7的漏极；所述被测MOSFET7的栅极连接于栅极驱动模块5；所述栅极驱动模块5通过控制信号控制源极和漏极之间的通断；所述被测MOSFET7的源极通过电流采样模块8连接于直流电源1的负极；所述二极管4与被测MOSFET7并联维持回路中的电流；所述开关3的控制信号与所述栅极驱动模块5的控制信号是同时发生的；其特征在于，所述MOSFET雪崩能量补偿方法包括以下步骤：S101：进行MOSFET雪崩能量的UIS预测试，设定电感L和电流I，根据能量公式计算得到加载能量为；S102：获得电流采样模块8的电流值和被测量的MOSFET7两端的电压值Vds，根据能量公式计算得到MOSFET7实际消耗能量值为，故线路阻抗6和二极管4消耗的能量为；S103：由于线路阻抗6和二极管4均为纯阻性元件，因此根据公式计算得到线路阻抗6消耗的能量为，二极管4消耗的能量为，即；S104：将根据上述公式及联立式可以求出线路阻抗（6）的数值并带入能量公式中得出补偿能量值比例为；S105:据在MOSFET雪崩能量测试方法中得出MOSFET（7）的雪崩能量为，L为电感器（2）的电感量，Vds为被测试的MOSFET两端的电压值，Vd为二极管两端的电压值，I为电流采样模块8的电流值，R为线路阻抗（6）的电阻值，由此计算出所述MOSFET（7）准确的雪崩能量。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛英特半导体技术(西安)有限公司，其通讯地址为：710119 陕西省西安市西部大道170号丰泽科技园2号楼401；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。