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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010534238.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权半导体结构及其制备方法是由朱丹丹;程凯设计研发完成，并于2020-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：在衬底上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备掩膜层；图形化所述掩膜层使部分暴露所述缓冲层；在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分制备第一DBR结构；在所述第一DBR结构上制备发光结构。图形化的掩膜层能够提高第一DBR结构的生长质量，并且有利于后续发光结构的制备。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备掩膜层；图形化所述掩膜层使所述缓冲层部分暴露；在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分上制备第一DBR结构；在所述第一DBR结构上制备发光结构；以及在所述发光结构上制备第二DBR结构；其中，在图形化所述掩膜层使所述缓冲层部分暴露之后，在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分上制备第一DBR结构之前，所述方法还包括：部分刻蚀所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分，以在所述缓冲层中形成凹槽；其中，在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分上制备第一DBR结构，包括：在所述缓冲层的所述凹槽上制备所述第一DBR结构，使所述第一DBR结构延伸至所述缓冲层中，以增加所述第一DBR结构的厚度，从而增加其反射率；其中，在所述缓冲层中形成凹槽之后，在所述缓冲层被所述掩膜层暴露的部分上制备第一DBR结构之前，所述方法还包括：在所述凹槽的侧壁制备掩膜层，使所述第一DBR结构延伸至所述缓冲层的部分与所述缓冲层之间设有所述掩膜层。

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