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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利FINFET掺杂结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599591B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011456725.3，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权FINFET掺杂结构是由蔡俊雄;吕伟元设计研发完成，并于2014-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本FINFET掺杂结构在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：掺杂的半导体材料层，设置在衬底上；未掺杂的半导体材料层，设置在所述掺杂的半导体材料层上，所述未掺杂的半导体材料层包括背离所述衬底的顶面；栅极结构，设置在所述未掺杂的半导体材料层上，所述栅极结构包括栅电极和栅介电层；轻掺杂漏极LDD区，设置在所述衬底中并且与所述未掺杂的半导体材料层直接交界；以及侧壁间隔件，沿着所述栅极结构的侧壁设置并且延伸至所述未掺杂的半导体材料层的顶面，使得所述侧壁间隔件物理接触所述未掺杂的半导体材料层的顶面，所述侧壁间隔件设置在所述轻掺杂漏极区的至少部分上。

本发明授权FINFET掺杂结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：掺杂的半导体材料层，设置在衬底上；未掺杂的半导体材料层，设置在所述掺杂的半导体材料层上，所述未掺杂的半导体材料层包括背离所述衬底的顶面，所述未掺杂的半导体材料层还包括未掺杂的器件沟道，所述未掺杂的器件沟道位于所述未掺杂的半导体材料层中；栅极结构，设置在所述未掺杂的半导体材料层上，所述栅极结构包括栅电极和栅介电层；源极区和漏极区，位于所述未掺杂的器件沟道的两侧；轻掺杂漏极区，所述轻掺杂漏极区位于所述未掺杂的半导体材料层与源极区漏极区之间、以及位于所述掺杂的半导体材料层与所述源极区漏极区之间，并且与所述未掺杂的半导体材料层和所述掺杂的半导体材料层直接交界；以及侧壁间隔件，沿着所述栅极结构的侧壁设置并且延伸至所述未掺杂的半导体材料层的顶面，使得所述侧壁间隔件物理接触所述未掺杂的半导体材料层的顶面，所述侧壁间隔件设置在所述轻掺杂漏极区的至少部分上。

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