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龙图腾网恭喜株式会社斯库林集团申请的专利热处理方法及热处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111383951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911167490.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权热处理方法及热处理装置是由野崎仁秀;上野智宏设计研发完成，并于2019-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本热处理方法及热处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够确认形成在衬底表面的薄膜的膜种类及膜厚的热处理方法及热处理装置。将针对形成有多种膜种类及膜厚的薄膜的硅衬底通过模拟所求出的多个理论反射率与膜种类及膜厚建立关联地预先注册于数据库。将收容着构成批次的多个半导体晶圆的载具搬入到热处理装置。对半导体晶圆的表面照射光而测定反射率。根据所获取的实测反射率推算半导体晶圆的理论反射率。从注册于数据库的多个理论反射率提取与半导体晶圆的理论反射率近似的理论反射率，特定出形成在半导体晶圆表面的薄膜的膜种类及膜厚。基于所特定出的薄膜的膜种类及膜厚，决定半导体晶圆的处理条件。

本发明授权热处理方法及热处理装置在权利要求书中公布了：1.一种热处理方法，其特征在于：是通过对衬底照射闪光而将该衬底加热的热处理方法，且具备：反射率测定制程，测定成为处理对象的衬底的反射率；反射率推算制程，根据通过所述反射率测定制程测定所得的实测反射率，推算所述衬底的理论反射率；特定制程，基于通过所述反射率推算制程所推算出的理论反射率，特定出形成在所述衬底表面的薄膜的膜种类及膜厚；以及相关关系获取制程，求出已知理论反射率的基准衬底的实测反射率与该理论反射率的相关系数；且在所述反射率推算制程中，基于通过所述反射率测定制程测定所得的实测反射率及所述相关系数，推算所述衬底的理论反射率。

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