恭喜英特尔公司钱治国获国家专利权
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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利用于串扰缓解的接地过孔群集获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110085567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811450623.3,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权用于串扰缓解的接地过孔群集是由钱治国;K·艾京;Y·张设计研发完成,并于2015-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于串扰缓解的接地过孔群集在说明书摘要公布了:本公开的实施例针对用于集成电路IC组件中的串扰缓解的接地过孔群集的技术和配置。在一些实施例中,IC封装组件可以包括被配置为在管芯和第二封装基板之间对输入输出IO信号和接地进行布线的第一封装基板。第一封装基板可以包括设置在第一封装基板的一侧上的多个接触部、以及过孔的同一层的至少两个接地过孔,并且所述至少两个接地过孔可以形成与单个接触部电耦合的接地过孔的群集。可以描述和或要求保护其它实施例。
本发明授权用于串扰缓解的接地过孔群集在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装,包括:第一封装基板,其具有第一侧和第二侧,所述第一侧与所述第二侧相对,所述第一封装基板包括:由半导体材料形成的第一封装基板层;所述第一封装基板的第二侧上的第一球焊盘,所述第一球焊盘包括铜;第一接地垂直互连件,其位于所述第一封装基板的第一侧和第二侧之间并通过所述第一封装基板层,所述第一接地垂直互连件至少部分地在所述第一封装基板的所述第一球焊盘正上方,所述第一接地垂直互连件与所述第一球焊盘电接触;第二接地垂直互连件,其位于所述第一封装基板的第一侧和第二侧之间并通过所述第一封装基板层,所述第二接地垂直互连件至少部分地在所述第一封装基板的所述第一球焊盘正上方,所述第二接地垂直互连件与所述第一接地垂直互连件横向间隔开,所述第二接地垂直互连件与所述第一封装基板的所述第一球焊盘电接触;第三接地垂直互连件,其位于所述第一封装基板的第一侧和第二侧之间并通过所述第一封装基板层,所述第三接地垂直互连件至少部分地在所述第一封装基板的所述第一球焊盘正上方,所述第三接地垂直互连件与所述第一接地垂直互连件横向间隔开并与所述第二接地垂直互连件横向间隔开,所述第三接地垂直互连件与所述第一封装基板的所述第一球焊盘电接触;所述第一封装基板的第二侧上的多个第二球焊盘,所述第二球焊盘包括铜;多个第四互连结构,其位于所述第一封装基板的第一侧和第二侧之间并通过所述第一封装基板层,所述多个第四互连结构中的每一个第四互连结构位于所述第一封装基板的所述多个第二球焊盘中的对应的一个第二球焊盘正上方,每一个所述第四互连结构与所述第一封装基板的所述对应的一个第二球焊盘电接触,其中,所述多个第四互连结构用于对输入输出IO信号进行布线;其中,所述第一接地垂直互连件、所述第二接地垂直互连件和所述第三接地垂直互连件由所述多个第四互连结构围绕,并且其中,所述多个第四互连结构与所述第一接地垂直互连件、所述第二接地垂直互连件和所述第三接地垂直互连件形成2:1信号与接地比率;管芯,其耦合到所述第一封装基板的第一侧;以及第二封装基板,其耦合到所述第一封装基板的第二侧。
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