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龙图腾网恭喜强华时代(成都)科技有限公司申请的专利一种降低栅氧电场的沟槽栅SiC MOSFET的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730290B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510229050.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种降低栅氧电场的沟槽栅SiC MOSFET的制备方法是由汪志刚;黄孝兵;余建祖;熊琴;张卓;钟驰宇设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低栅氧电场的沟槽栅SiC MOSFET的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种降低栅氧电场的沟槽栅SiCMOSFET的制备方法，本制备方法将源极做成斜沟槽，然后注入P型掺杂形成斜的P井屏蔽区，斜的屏蔽区不仅能屏蔽电场降低栅氧底部的峰值电场而且还能引导电流斜向下流走，提高第二外延层的利用率；第一电场吸收层和第二电场吸收层利用同一张掩模版的不同方向，节约了掩模版的数量，且电场吸收层能进一步降低栅氧层底部的峰值电场而且还能在导通电阻不增加的情况下减小器件的饱和电流密度，提高器件的短路耐量。

本发明授权一种降低栅氧电场的沟槽栅SiC MOSFET的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低栅氧电场的沟槽栅SiCMOSFET的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底（1）上生长一层外延层，形成第一外延层（2），然后在电场吸收层掩模版（3）的阻挡下进行P型掺杂，形成第一电场吸收层（4）；在第一外延层（2）上生长一层外延层，形成第二外延层（5），然后将电场吸收层掩模版（3）旋转90°，并在电场吸收层掩模版（3）的阻挡下进行P型掺杂，形成第二电场吸收层（6）；在第二外延层（5）上生长一层外延层，形成第三外延层（7），在第三外延层（7）上进行P型掺杂，形成P型基区（8），在第三外延层（7）上进行N型重参杂，形成N+源区（9）；在源沟槽掩模版（10）的阻挡下进行沟槽刻蚀，形成斜的源沟槽（11），接着进行P型重参杂，形成斜的P井屏蔽区（12）；在栅沟槽掩模版（13）的阻挡下进行沟槽刻蚀，形成栅沟槽（14），并在栅沟槽（14）内表面上进行栅氧（15）生长，然后磨平栅沟槽掩模版（13）的部分上表面层，并在磨平后进行多晶硅（16）淀积；去除多余的多晶硅（16），然后进行场氧（17）生长，然后去除多余的场氧（17），接着进行源极欧姆接触区（18）淀积和漏极欧姆接触区（19）淀积；其中，所述第一电场吸收层（4）和第二电场吸收层（6）纵向上叠加且相互不接触，第一电场吸收层的延伸方向和栅沟槽的延伸方向相同。

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