恭喜株式会社半导体能源研究所山崎舜平获国家专利权
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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112041825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980027282.5，技术领域涉及：G06F12/0893；该发明授权半导体装置是由山崎舜平;加藤清;木村肇;宫口厚;井上达则设计研发完成，并于2019-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种能够改变存储装置的各层次的存储区域的半导体装置。一种半导体装置，包括具有第一及第二存储电路的存储装置及控制电路。第一存储电路包括第一电容器及具有保持第一电容器所保持的电荷的功能的第一晶体管，第二存储电路包括第二晶体管、电连接到所述第二晶体管的栅极的第二电容器及具有保持第二电容器所保持的电荷的功能的第三晶体管。第一及第三晶体管包括具有氧化物半导体的半导体层、栅极及背栅极。通过调整施加到第一或第三晶体管的背栅极的电压来改变第一或第二存储电路中的各存储区域。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 存储装置；以及 控制电路， 其中，所述存储装置包括在第一存储层次工作的第一存储电路及在第二存储层次工作的第二存储电路， 所述第一存储层次的访问速度比所述第二存储层次快， 所述第一存储电路包括第一电容器及具有保持所述第一电容器所保持的电荷的功能的第一晶体管， 所述第二存储电路包括第二晶体管、电连接于所述第二晶体管的栅极的第二电容器及具有保持所述第二电容器所保持的电荷的功能的第三晶体管， 所述第一晶体管及所述第三晶体管包括具有氧化物半导体的半导体层、第一栅极及第二栅极， 并且，所述控制电路具有通过对所述第一晶体管的所述第二栅极输入电压来将所述第一存储电路从所述第一存储层次改为所述第二存储层次的功能及通过对所述第三晶体管的所述第二栅极输入电压来将所述第二存储电路从所述第二存储层次改为所述第一存储层次的功能。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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