恭喜中芯长电半导体(江阴)有限公司赵海霖获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯长电半导体(江阴)有限公司申请的专利扇出型封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111653493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910160329.7，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权扇出型封装结构及其制作方法是由赵海霖;周祖源;吴政达;林正忠设计研发完成，并于2019-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本扇出型封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法，结构包括：衬底；封装单元，所述封装单元包括重新布线层及器件结构，所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面，所述重新布线层的第一面具有介质层，所述器件结构连接于所述重新布线层的第二面，所述器件结构固定于所述衬底上。本发明提供了一种可以有效减小介质层去除过程中的翘曲度的封装结构及方法。本发明可以减小翘曲的影响，保证刻蚀速度和均匀性，提高产品收率。本发明可以避免传统工艺中晶圆边缘的介质层的翘曲及起皮等现象，从而避免介质层起皮等现象对腔室造成的污染。本发明可以采用电浆去胶工艺去除介质层，相比于昂贵的干法蚀刻设备来说，可大大降低设备及工艺成本低。
本发明授权扇出型封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤： 1提供一封装结构，所述封装结构包括重新布线层，所述重新布线层的第一面具有介质层，第二面连接有器件结构； 2将所述封装结构具有器件结构的一侧粘附于一蓝膜，自所述重新布线层对所述封装结构进行切割； 3提供一衬底，将所述封装单元转移并固定于所述衬底上； 4采用干法工艺去除所述介质层，以显露所述重新布线层的金属互连层；其中，所述介质层包括聚合物介质层； 5去除所述衬底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯长电半导体(江阴)有限公司，其通讯地址为：214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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