恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利集成电路电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111244065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811434304.3，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权集成电路电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种集成电路电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法，集成电路电容器阵列结构包括：衬底；下电极层，突出的位于衬底上，由下电极层内形成有电容孔；电容介质层，共形地覆盖下电极层的表面；上电极层，共形地覆盖电容介质层的表面；电容极板，区块状位于衬底上并形成于上电极层上，电容极板包括由下至上依次叠置的金属填充层及共形地覆盖金属填充层的导电覆盖层，导电覆盖层构成为上电极结构的顶表面层及侧表面层，以供接合至少一第一互连结构于顶表面层上。本发明提供的集成电路电容器阵列结构可以有效避免电容器漏电；同时，在形成电容极板时可仅沉积金属填充层导电覆盖层作为电容极板即可保证低电阻。
本发明授权集成电路电容器阵列结构、半导体存储器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路电容器阵列结构，其特征在于，包括：衬底；下电极层，突出的位于所述衬底上，由所述下电极层内形成有电容孔；电容介质层，共形地覆盖所述下电极层的表面；上电极层，共形地覆盖所述电容介质层的表面；电容极板，区块状位于所述衬底上并形成于所述上电极层上，所述电容极板包括由下至上依次叠置的金属填充层及共形地覆盖所述金属填充层的导电覆盖层，所述导电覆盖层构成为上电极结构的顶表面层及侧表面层，以供接合至少一第一互连结构于所述顶表面层上；所述金属填充层为钨层，所述导电覆盖层为氮化钨层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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