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龙图腾网恭喜原子能和替代能源委员会申请的专利形成多个光电器件的公共电极的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112825341B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011300785.6，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权形成多个光电器件的公共电极的方法是由马里恩·沃尔博特设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成多个光电器件的公共电极的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种形成多个光电器件的公共电极190的方法，该方法包括以下步骤：a提供支撑基底111，在该支撑基底上放置由沟槽170隔开的光电器件；b在正面、侧面和沟槽的底部上形成介电层130，在正面和侧面上形成的介电层的厚度分别为厚度E1和小于厚度E1的厚度E2；c将介电层130蚀刻厚度E3，以露出沟槽的第一部分170a处的侧面；d形成填充沟槽以及覆盖正面的金属层；e对金属层进行机械化学抛光，抛光停止在介电层130的一部分上，保留在沟槽170中的金属形成公共电极190。

本发明授权形成多个光电器件的公共电极的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成多个光电器件的公共电极190的方法，所述多个光电器件中的每个光电器件包括通过侧面151c连接的正面151a和背面151b，所述方法包括以下步骤：a提供支撑基底111，通过所述多个光电器件的背面151b将由沟槽170隔开的所述多个光电器件置于所述支撑基底的称为主表面111a的表面上，所述沟槽170由所述光电器件的侧面151c和所述主表面111a处的底部限定；b通过覆盖所述正面、所述侧面151c以及所述沟槽170的底部来形成介电层130，所述正面和所述侧面151c处的所述介电层130的厚度分别为厚度E1和小于厚度E1的厚度E2；c将所述介电层130湿蚀刻小于所述厚度E1的厚度E3，以露出所述沟槽170的第一部分171a处的侧面151c，并且至少部分地保留所述正面上的介电层130；d通过覆盖所述沟槽170以及覆盖所述正面来形成金属层185；e对所述金属层185进行机械化学的抛光，所述抛光停止在步骤c结束时所保留的覆盖所述正面的所述介电层130的部分上，保留在所述沟槽170中的金属形成所述公共电极190；每个沟槽从底部起包括与所述第一部分相邻的第二部分171b，所述第一部分171a和所述第二部分分别根据第一高度和第二高度进行延伸，所述第一部分171a通向由所述光电器件的正面形成的平面，步骤b之前包括步骤b0：根据顺应性沉积技术，通过覆盖所述正面、所述侧面151c以及所述沟槽170的底部来形成钝化层120，步骤c还包括去除所述第一部分171a处的钝化层。

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