恭喜台湾积体电路制造股份有限公司宋福庭获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件、存储器集成电路及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110173127.3，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权存储器器件、存储器集成电路及其制造方法是由宋福庭设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件、存储器集成电路及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种存储器器件、一种存储器集成电路及一种存储器器件的制造方法。存储器器件包括复合底部电极、顶部电极及设置在复合底部电极与顶部电极之间的电阻可变层。复合底部电极包括第一底部电极及设置在第一底部电极之上的第二底部电极。第二底部电极的侧壁在侧向上相对于第一底部电极层的侧壁及电阻可变层的侧壁凹陷。
本发明授权存储器器件、存储器集成电路及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括：复合底部电极；顶部电极；以及电阻可变层，设置在所述复合底部电极与所述顶部电极之间，其中所述复合底部电极包括第一底部电极及设置在所述第一底部电极之上的第二底部电极，所述第二底部电极的侧壁在侧向上相对于所述第一底部电极的侧壁及所述电阻可变层的侧壁凹入，所述第二底部电极与所述第一底部电极具有实质上相同的形状，且所述第二底部电极的轮廓相较于所述第一底部电极的轮廓内缩。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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