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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510374475.5，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件是由郝炜;唐新灵;魏晓光;于克凡;石浩;代安琪;林仲康;田延忠设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件，其中，功率半导体封装结构包括：半导体芯片；第一极电连接结构，设置在半导体芯片的第一侧；第二极电连接结构，设置在半导体芯片的第二侧，第二极电连接结构包括缓冲结构、极座以及液态金属介质，缓冲结构设置在半导体芯片与极座之间，缓冲结构与极座之间形成容纳空间，液态金属介质设置在容纳空间内，缓冲结构与极座之间密封连接以防止液态金属介质脱离容纳空间。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的压接封装难度大、成本高的问题。

本发明授权功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体封装结构，其特征在于，包括：半导体芯片（10）；第一极电连接结构（20），设置在所述半导体芯片（10）的第一侧；第二极电连接结构（30），设置在所述半导体芯片（10）的第二侧，所述第二极电连接结构（30）包括缓冲结构（31）、极座（32）以及液态金属介质（33），所述缓冲结构（31）设置在所述半导体芯片（10）与所述极座（32）之间，所述缓冲结构（31）与所述极座（32）之间形成容纳空间，所述液态金属介质（33）设置在所述容纳空间内，所述缓冲结构（31）与所述极座（32）之间密封连接以防止所述液态金属介质（33）脱离所述容纳空间；所述缓冲结构（31）包括第一基体（312）和设置在所述第一基体（312）上的凸块结构（311），所述极座（32）包括第二基体（322）以及凹槽结构（321），所述凹槽结构（321）设置在所述第二基体（322）上，所述凸块结构（311）插设于所述凹槽结构（321）内，所述凸块结构（311）朝向所述凹槽结构（321）的槽底壁的表面与所述凹槽结构（321）的槽底壁之间形成所述容纳空间，所述第一基体（312）与所述第二基体（322）间隔设置并形成调整间隙（34），以使得调整所述第一基体（312）与所述第二基体（322）之间的距离。

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