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龙图腾网恭喜周星工程股份有限公司申请的专利薄膜形成装置及使用其的薄膜形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112602167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980050657.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权薄膜形成装置及使用其的薄膜形成方法是由具泍会;黄喆周设计研发完成，并于2019-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜形成装置及使用其的薄膜形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种薄膜形成装置和使用其的薄膜形成方法，其能够通过在薄膜形成装置的处理腔室中划分反应空间，从而在第一空间中在衬底上形成硅薄膜并在第二空间中通过使用等离子体对在第一空间中形成的硅薄膜的表面进行处理来改善硅薄膜的膜质量。通过根据本公开的薄膜形成装置和使用其的薄膜形成方法，在图案复杂化且图案深度增大的趋势下，可以更有效地去除薄膜中的杂质，可以在图案上形成均匀的薄膜，并且可以使硅薄膜的晶体的晶粒尺寸均匀。

本发明授权薄膜形成装置及使用其的薄膜形成方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜形成装置，包括：处理腔室，其提供反应空间；衬底支撑件，其安装在所述处理腔室中并且支撑衬底；腔室盖，其覆盖所述处理腔室的顶部；以及气体注入模块，其安装在所述腔室盖的底表面上，并向所述衬底注入处理气体，所述反应空间包括：第一空间，其用于在所述衬底上形成硅薄膜，并且在形成硅薄膜的同时或之后将杂质注入所述硅薄膜中；以及第二空间，其用于通过使用等离子体来处理形成有所述硅薄膜的所述衬底的表面，并且处理所述衬底的表面以去除形成在所述表面上的自然氧化物膜或包含在所述衬底的所述表面中的杂质，其中，所述衬底通过所述衬底支撑件的旋转而被移动到所述第一空间和所述第二空间，其中，所述气体注入模块包括：源气体注入部件，其在所述第一空间中向所述衬底注入源气体；等离子体气体注入部件，其在所述第二空间中向所述衬底注入等离子体气体；以及净化气体注入部件，其包括第一净化气体注入部件和第二净化气体注入部件，分别在所述处理腔室中的第一净化空间和第二净化空间中注入净化气体，其中，所述第一净化空间是在所述衬底从所述第二空间移向所述第一空间时在所述第二空间与所述第一空间之间的注入净化气体的区域，以及其中，所述第二净化空间是在所述衬底从所述第一空间移向所述第二空间时在所述第一空间与所述第二空间之间的注入净化气体的区域。

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