恭喜西安电子科技大学王勇获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利具有强室温铁磁性的无金属碳基量子材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119873765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510374219.6，技术领域涉及：C01B21/087；该发明授权具有强室温铁磁性的无金属碳基量子材料及其制备方法是由王勇;杨定怡;张瑜;许永杰;吴亦章;郝跃设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有强室温铁磁性的无金属碳基量子材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了具有强室温铁磁性的无金属碳基量子材料及其制备方法，属于量子信息材料技术领域，该材料具有CN链状骨架，C=N键以及氰基的官能团，其C：N的元素比为（2.3‑2.8）：1；该方法包括：以高纯度g‑C3N4粉末为原料，通过除氧退火和真空退火，得到无氧g‑C3N4，随后与二氟化氙煅烧氟化，静置后热退氟，所有操作均在氩气环境中进行；在热退氟过程中会在碳氮骨架边缘和基面处发生结构重构，引入高密度的局域自旋，从而激发自旋之间的铁磁耦合，同时类石墨相结构被破坏，形成分子链，得到具有高居里温度和强室温铁磁性的无金属碳基量子材料，是一种室温非金属自发极化的永磁体，可应用于自旋电子器件、生物电子器件和医疗检测等领域。
本发明授权具有强室温铁磁性的无金属碳基量子材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.具有强室温铁磁性的无金属碳基量子材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将密封在反应釜中的无氧g-C3N4粉末和二氟化氙在氩气环境中煅烧氟化，自然冷却至室温后在氩气环境中打开反应釜，并静置1-3h，得到氟化氮化碳；所述无氧g-C3N4粉末与二氟化氙的质量比为1:（4-5）；步骤2：将氟化氮化碳在氩气环境中进行热退氟，自然冷却至室温后得到退氟氮化碳；步骤3：对退氟氮化碳进行磁化，得到吸附在磁铁表面的黑色粉末，即为强室温铁磁性的无金属碳基量子材料。
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