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龙图腾网恭喜江苏东晨电子科技有限公司申请的专利微型超低电容固体放电管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110783399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911157310.3，技术领域涉及：H10D18/01；该发明授权微型超低电容固体放电管及其制备方法是由陈俊标;苏亮;沈一舟设计研发完成，并于2019-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型超低电容固体放电管及其制备方法在说明书摘要公布了：一种微型超低电容固体放电管及其制备方法，该固体放电管的上面设有硼基区P，该硼基区P单侧设置有部分交叠的磷扩散埋层N‑，在所述硼基区P内布置有第一磷扩散区N+，在所述第一磷扩散区N+内布置有若干个短路孔形成元胞式阴极；在所述固体放电管的下面布置有一个硼区P和一个第二磷扩散区N+，前述硼区P和第二磷扩散区N+间隔设置，形成单向芯片阳极结构。本发明在原低电容结构设计基础上，在阴极增加了N‑埋层，使每个元胞阴极的热沉增长，从而在相同芯片面积的基础上增加通流能力。下面采用硼区和第二磷扩散区N+对称式布局，消除了单项放电管的反向压降，基于该设计，原芯片面积可进行缩减，进而减小PN结面积，大幅度降低结电容。

本发明授权微型超低电容固体放电管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微型超低电容固体放电管的制备方法，该固体放电管的上面具有硼基区P（1），硼基区P（1）的单侧设置有部分交叠的磷扩散埋层N-（2），在所述硼基区P（1）内布置有第一磷扩散区N+（3），在所述第一磷扩散区N+（3）内布置有若干个短路孔（4）形成元胞式阴极；在所述固体放电管的下面布置有一个硼区P（5）和一个第二磷扩散区N+（6），前述硼区P（5）和第二磷扩散区N+（6）间隔设置，形成单向芯片阳极结构；该固体放电管的芯片面积为0.5mm*0.5mm—0.6mm*0.6mm，结电容小于6pF；磷扩散埋层N-（2）的埋层结深为40um-45um；其特征是该制备方法包括以下步骤：S1、在硼基区P（1）制备之前预先布置与该硼基区P（1）单侧部分交叠的磷扩散埋层N-（2），所述磷扩散埋层N-（2）的深度大于所述硼基区P（1）的深度；S2、制备硼基区P（1）和硼区P（5），前述硼区P（5）设置于固体放电管的下面；S3、在硼基区P（1）内布置第一磷扩散区N+（3），并且在所述第一磷扩散区N+（3）内布置若干个短路孔（4）形成元胞式阴极；S4、在固体放电管的下面布置第二磷扩散区N+（6），前述第二磷扩散区N+（6）与前述硼区P（5）间隔设置，构成固体放电管。

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