恭喜上海安微电子有限公司杨朔获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海安微电子有限公司申请的专利一种超低压降肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111261725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010219339.6，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种超低压降肖特基二极管及其制备方法是由杨朔设计研发完成，并于2020-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超低压降肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明的主要目的为提供一种新型的超低压降肖特基二极管及其制备方法，此二极管在高浓度的衬底片上表面先光刻腐蚀多条沟槽，然后外延生长低浓度层，在上表面和沟槽处形成金属势垒和正面金属电极，在背面形成背电极。如图结构：10为背面电极；20为高浓度衬底，在其上面刻蚀出多个一定深度的槽，槽可以是条形，也可以是方形或多边形等；30为外延方式生长的低浓度层，厚度和浓度根据器件所设计的电压，反向漏电流等决定；40为势垒层；50为边缘绝缘层；60为上电极金属层。多槽结构增大了势垒区的表面积，极大地增加了单位芯片的电流，在同等芯片面积情况下，正向导通电流极大地增加，同等电流下，正向压降大幅降低，达到了超低正向的效果。
本发明授权一种超低压降肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超低压降肖特基二极管，其特征在于，其结构包括：刻有多个槽的高浓度衬底、在上表面和槽底部和侧面外延生长的低浓度外延层、在除边缘外的外延层上表面和槽底部和侧面形成金属硅化物势垒层、上表面边缘绝缘层和用于垂直导通的上下电极；衬底槽宽要大于外延层厚度的两倍以上，外延层不能填满整个槽，保证外延层也是槽形状。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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