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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利垂直场效应晶体管器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010385780.1，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权垂直场效应晶体管器件及其制造方法是由宋昇炫;孙昌佑;郑荣采;洪思焕设计研发完成，并于2020-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直场效应晶体管器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供一种垂直场效应晶体管VFET器件及其制造方法。该VFET器件包括：鳍结构，形成在衬底上；栅极结构，包括形成在鳍结构的侧壁的上部上的栅极电介质层以及形成在栅极电介质层的下部上的导体层；顶部源极漏极SD区，形成在鳍结构和栅极结构之上；底部SD区，形成在鳍结构和栅极结构之下；顶部间隔物，形成在栅极电介质层的上部上，并在顶部SD区与导体层的顶表面之间；以及底部间隔物，形成在栅极结构与底部SD区之间。栅极电介质层的顶表面定位在与顶部间隔物的顶表面相同或基本上相同的高度处、或者定位为低于顶部间隔物的顶表面，并高于导体层的顶表面。

本发明授权垂直场效应晶体管器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直场效应晶体管器件，包括：鳍结构，形成在衬底上；栅极结构，该栅极结构包括：栅极电介质层，形成在所述鳍结构的侧壁的上部上；和导体层，形成在所述栅极电介质层的下部上；顶部源极漏极区，形成在所述鳍结构和所述栅极结构之上；底部源极漏极区，形成在所述鳍结构和所述栅极结构之下；顶部间隔物，形成在所述栅极电介质层的上部上，并在所述顶部源极漏极区与所述导体层的顶表面之间；以及底部间隔物，形成在所述栅极结构与所述底部源极漏极区之间，其中所述栅极电介质层的顶表面定位在与所述顶部间隔物的顶表面相同的高度处或者定位为低于所述顶部间隔物的所述顶表面，并高于所述导体层的所述顶表面，其中所述栅极电介质层的在其上形成所述顶部间隔物的所述上部比所述栅极电介质层的所述下部横向地更厚，所述栅极电介质层的所述下部沿着所述鳍结构的所述侧壁的下部具有均匀的横向厚度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。