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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利具有近零接合线厚度的三维堆叠半导体组合件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080091520.1，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权具有近零接合线厚度的三维堆叠半导体组合件是由O·R·费伊设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有近零接合线厚度的三维堆叠半导体组合件在说明书摘要公布了：本文中公开半导体装置封装组合件及相关联方法。在一些实施例中，所述半导体装置封装组合件包含：1基底组件，其具有前侧及与第一侧相对的背侧，所述基底组件具有在所述前侧处的第一金属化结构，所述第一金属化结构暴露于所述前侧处的接触区域中；2半导体装置封装，其具有第一侧及第二侧，所述半导体装置封装具有在所述第一侧处的第二金属化结构；及3金属凸块，其至少部分定位于凹部中且电耦合到所述第二金属化结构及所述第一金属化结构。

本发明授权具有近零接合线厚度的三维堆叠半导体组合件在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置封装组合件，其包括：基底组件，其具有前侧及背侧，所述基底组件具有在所述前侧处的第一金属化结构，且所述第一金属化结构暴露于所述前侧处的接触区域中；半导体装置裸片堆叠，每一半导体装置裸片具有第一侧、具有凹部的第二侧、及第二金属化结构，所述第二金属化结构具有在所述第一侧处的接触垫及暴露于所述第二侧处的所述凹部中的接触区；及金属凸块，其至少部分定位于所述半导体装置裸片的所述第二侧处的所述凹部中，其中所述金属凸块电耦合到一个半导体装置组合件的第二金属化结构的所述接触垫及邻近半导体装置组合件的接触区，且其中额外金属凸块耦合到所述半导体装置裸片中的最下半导体装置裸片的所述接触垫及所述基底组件的所述第一金属化结构；其中所述半导体装置封装在无穿硅通路的情况下经由所述第一金属化结构及所述第二金属化结构彼此电耦合且电耦合到所述基底组件，其中所述第一金属化结构及所述第二金属化结构具有迹线及通路而未使用从所述半导体装置堆叠裸片的所述第一侧直接延伸到所述第二侧的穿硅通路TSV。

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