恭喜江苏第三代半导体研究院有限公司毕文刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种微型发光二极管垂直芯片结构、其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011578888.9，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种微型发光二极管垂直芯片结构、其制备方法及应用是由毕文刚;王国斌;徐科设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微型发光二极管垂直芯片结构、其制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微型发光二极管micro‑LED垂直芯片结构、其制备方法及应用。所述垂直芯片结构包括外延结构，所述外延结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层、有源区和第二半导体层；所述第一、第二半导体层分别与第一、第二电极配合，所述第一电极分布于第一半导体层周围且与第一半导体层的侧壁形成电性接触。本发明的micro‑LED垂直芯片结构通过采用侧壁电极结构，可以避免因电极设置在出光面上而对LED芯片所发光的吸收，增加器件发光效率，同时还可以起到光反射的作用，从而进一步提高器件的光提取效率和亮度，并且还可以减少各芯片之间的光串扰，避免色坐标偏移，提高显示色纯度，以及，还可以使芯片尺寸得以进一步缩小，提高显示分辨率。
本发明授权一种微型发光二极管垂直芯片结构、其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管垂直芯片结构，包括外延结构，所述外延结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层、有源区和第二半导体层，所述第一半导体层、第二半导体层分别与第一电极、第二电极配合，所述第一半导体层的表面为出光面，其特征在于：所述第一电极设置在所述有源区上，所述第一电极环绕第一半导体层设置形成光学挡墙结构，并与第一半导体层的侧壁形成电性接触。
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