恭喜厦门通富微电子有限公司陈纬铭获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门通富微电子有限公司申请的专利覆晶薄膜的封装方法及覆晶薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210444235.4，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权覆晶薄膜的封装方法及覆晶薄膜是由陈纬铭设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本覆晶薄膜的封装方法及覆晶薄膜在说明书摘要公布了：本申请公开了一种覆晶薄膜的封装方法及覆晶薄膜，所述覆晶薄膜的封装方法包括：提供卷带和至少一个芯片；其中，卷带的第一表面设置有多个内引脚，芯片的功能面上设置有多个金属凸块；在相邻内引脚和或相邻金属凸块之间形成第一绝缘材料；使金属凸块和所述内引脚相对设置，且一个金属凸块与一个内引脚对应；使金属凸块与对应位置处的内引脚电连接。通过上述方式，本申请能够解决因热膨胀系数不匹配导致的卷带翘曲，降低底填胶的使用，提高半导体封装器件的性能。
本发明授权覆晶薄膜的封装方法及覆晶薄膜在权利要求书中公布了：1.一种覆晶薄膜的封装方法，其特征在于，包括：提供卷带和至少一个芯片；其中，所述卷带的第一表面设置有多个内引脚，所述芯片的功能面上设置有多个金属凸块，所述卷带的材料包括聚酰亚胺或聚酯薄膜；在相邻所述内引脚和相邻所述金属凸块之间形成第一绝缘材料，其中，所述第一绝缘材料包括聚酰亚胺，异方向性电子导电胶材中至少一种，所述第一绝缘材料在所述卷带上的正投影位于相邻所述内引脚之间的间隙内，所述第一绝缘材料在所述芯片上的正投影位于相邻所述金属凸块之间的间隙内；使所述金属凸块和所述内引脚相对设置，且一个所述金属凸块与一个所述内引脚对应；使所述金属凸块与对应位置处的所述内引脚电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门通富微电子有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区厦门片区建港路29号海沧国际物流大厦10楼1001单元F0193；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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