买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜山东大学申请的专利一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116050334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211682596.9，技术领域涉及：G06F30/373；该发明授权一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法是由林兆军;王鸣雁;吕元杰;周衡;崔鹏设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaNGaN异质结场效应晶体管优化方法，属于器件建模技术领域。本发明实现了基于蒙特卡洛模拟得到AlGaNGaNHFETs器件速度场关系，建立起一个依赖于栅偏压的速度场模型，更加贴近于真实的AlGaNGaNHFETs中的实验现象。通过提参，将速度场模型参数带入推导的物理基紧凑型电流‑电压模型之中。该方法巧妙的保留了速度场模型参数与该AlGaNGaNHFET器件直接关联关系，在我们的紧凑型电流‑电压模型中，所有参数都有特定的物理意义，寄生电阻因素与沟道调制效应也被考虑进来。我们的方案可以实现对AlGaNGaNHFETs准确建模，预测并优化器件性能。

本发明授权一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaNGaN异质结场效应晶体管优化方法，其特征在于，包括步骤如下：1使用半导体参数分析仪对AlGaNGaNHFET器件进行电流-电压I-V曲线测试，得到AlGaNGaNHFET的附加极化电荷与沟道偏压关联的函数关系；2计算AlGaNGaNHFET不同栅源偏置Vgs、漏源偏置Vds等于6V的情况下,栅下沟道区域电势分布、电场分布，和二维电子气电子密度分布：3把栅下区域划分成若干的网格；每个网格内部的二维电子气电子密度和电场强度是相同的，每个网格对应一个坐标x1,x2,以及极化电荷密度ρ2，我们把ρ2定为基准极化电荷；得到沟道最左端的电位V1,沟道网格平均电位V2，沟道最右端的电位V3；根据附加极化电荷密度与沟道偏压的依赖关系，每一个电位对应一个极化电荷密度，从而确定栅下最左端极化电荷密度ρ1，栅下最右端极化电荷密度ρ3，以及每个网格极化电荷密度ρ2；根据上述物理量，计算每一个网格PCF散射的附加散射势；依据附加散射势，得到每一个网格的PCF散射的跃迁矩阵元；依据跃迁矩阵元，得到每一个网格的PCF散射率；确定沟道电势分布，沟道电场分布，在每个网格确定的电场下，根据蒙特卡洛模拟方法，计算不同网格的速度分布，从而得到并建立AlGaNGaNHFET在不同栅源偏置下的速度场关系公式；4根据优化的AlGaNGaNHFET速度场模型与AlGaNGaNHFET不同栅源偏置下的速度场关系，提取不同栅源偏置下的速度场模型的参数；5对比蒙特卡洛得到的AlGaNGaNHFET的速度场关系与模型得到的AlGaNGaNHFET速度场关系，根据提取的不同栅源偏压的AlGaNGaNHFET的速度参数，器件的尺寸参数，以及电压偏置Vds,Vgs，得到器件线性区的器件电流；根据提取的不同栅源偏压的AlGaNGaNHFET的速度参数，器件的尺寸参数，以及电压偏置Vds,Vgs，得到器件饱和电流；根据提取的不同栅源偏压的AlGaNGaNHFET的速度参数，器件的尺寸参数，以及电压偏置Vds,Vgs，得到器件速度饱和区电流；当得到电流数值与实验值匹配良好，把电流电压模型用verilogA语言写入电路软件HSPICE软件或者ADS软件，在电路软件中搭建不同尺寸，不同结构的GaNHFET，用来优化设计高性能的GaN基HFET的电路；将速度场模型和速度场模型参数写入TCAD软件，替代以前的GaN速度场模型，设计高性能的GaN基HFET，速度场模型参数包括Vsat,ρ1,ρ3,Et。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学，其通讯地址为：250100 山东省济南市历城区山大南路27号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。