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龙图腾网恭喜深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510136484.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片是由李金耀设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片，通过在源极层与所述控制栅多晶硅层之间设置第一二极管，在栅极层与所述控制栅多晶硅层之间设置位于第一二极管两侧的第二二极管，使得在器件反向导通的过程中，由源极提供高电位，与源极连接的二极管正常导通，连带器件的沟道打开，此时与栅极连接的二极管反偏，防止产生漏电流。并且，由于沟道处的压降更小，大部分电流从沟道处流过，而从P型基区与N型漂移区处的PN结经过的电流减小，使得PN结的少子存储变少，进而使得反向恢复电荷减少，从而实现了器件反向恢复特性的优化，降低器件在状态切换过程中的损耗。

本发明授权改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种改善反向恢复特性的MOSFET，其特征在于，包括：N型衬底；N型漂移区，所述N型漂移区内设有凹槽；第一介电材料层、屏蔽栅多晶硅层，所述第一介电材料层设置于所述N型漂移区的凹槽内壁，所述第一介电材料层用于包裹所述屏蔽栅多晶硅层；控制栅介电材料层、控制栅多晶硅层，形成于所述N型漂移区的凹槽内，所述控制栅介电材料层包裹所述控制栅多晶硅层；第一P型基区、第二P型基区，所述第一P型基区和所述第二P型基区呈L形结构，分别设置于所述N型漂移区的两侧部；第一N型掺杂区、第二N型掺杂区，所述第一N型掺杂区位于L形结构的所述第一P型基区的水平部上，且与所述控制栅介电材料层接触，所述第二N型掺杂区位于L形结构的所述第二P型基区的水平部上，且与所述控制栅介电材料层接触；漏极层，所述漏极层设置于所述N型衬底的背面；源极层，与所述第一N型掺杂区、所述第二N型掺杂区、所述第一P型基区、所述第二P型基区接触，并且，所述源极层与所述控制栅多晶硅层之间还设置有第一二极管；栅极层，经所述控制栅介电材料层上的第一栅极通孔和第二栅极通孔与所述控制栅多晶硅层接触；所述栅极层与所述控制栅多晶硅层之间还设置有第二二极管；所述源极层与所述控制栅多晶硅层之间设置有第一肖特基金属层，所述第一肖特基金属层与所述控制栅多晶硅层之间形成肖特基接触，以形成所述第一二极管；所述栅极层与所述控制栅多晶硅层之间设置有第二肖特基金属层，所述第二肖特基金属层与所述控制栅多晶硅层之间形成肖特基接触，以形成所述第二二极管；所述屏蔽栅多晶硅层为阶梯形结构，所述屏蔽栅多晶硅层的宽度由所述漏极层向所述源极层逐渐增加。

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