恭喜长江存储科技有限责任公司刘磊获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111270722.5，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由刘磊;杨远程;周文犀;王迪;张坤;杨涛;赵冬雪;夏志良设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括衬底，位于衬底上的堆叠层，该堆叠层由上至下依次包括第一栅极层、第一绝缘层、第二栅极层和第二绝缘层，以及沿垂直于衬底的纵向贯穿第一栅极层和第一绝缘层的第一沟道结构，和沿纵向贯穿第二栅极层的第二沟道结构。该第二沟道结构的顶部与第一沟道结构的底部连接，第二沟道结构在垂直于纵向的截面的横截面积大于第一沟道结构在垂直于纵向的截面的横截面积。由于第一沟道结构的横截面积较小，因此第一栅极层的选通速率更快，进而可以提高半导体器件的栅极控制能力。同时第二沟道结构的横截面积较大，因此第二沟道结构可以支持更高的空穴存储量，进而可以提高半导体器件的存储能力。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层由上至下依次包括第一栅极层、第一绝缘层、第二栅极层和第二绝缘层；沿垂直于所述衬底的纵向贯穿所述第一栅极层和所述第一绝缘层的第一沟道结构；沿所述纵向贯穿所述第二栅极层的第二沟道结构，所述第二沟道结构的顶部与所述第一沟道结构的底部连接，所述第二沟道结构在垂直于所述纵向的截面的横截面积大于所述第一沟道结构在垂直于所述纵向的截面的横截面积。
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