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龙图腾网恭喜天津恩特能源科技有限公司申请的专利一种软开关隔离驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119853473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510331747.3，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权一种软开关隔离驱动电路是由王晨;郝磊;李君;王泽雅设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种软开关隔离驱动电路在说明书摘要公布了：本申请涉及一种软开关隔离驱动电路，包括：驱动变压器、推挽MOS管、功率MOS管、驱动电阻和输入电容；所述驱动变压器的原边绕组串联在所述推挽MOS管和所述输入电容之间；所述驱动电阻的一端电性连接于所述驱动变压器的副边绕组，所述驱动电阻的另一端电性连接于所述功率MOS管。本申请提供的软开关隔离驱动电路，适用于固定接近50%占空比的拓扑，通过调整驱动变压器的励磁电感量和推挽MOS管的死区时间，实现推挽MOS管的软开关且减少推挽MOS管的电压应力，有效减少驱动损耗、降低热量，提高开关电源的工作效率。

本发明授权一种软开关隔离驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种软开关隔离驱动电路，其特征在于，包括：驱动变压器、推挽MOS管、功率MOS管、驱动电阻和输入电容；所述驱动变压器的原边绕组串联在所述推挽MOS管和所述输入电容之间；所述驱动电阻的一端电性连接于所述驱动变压器的副边绕组，所述驱动电阻的另一端电性连接于所述功率MOS管；所述推挽MOS管包括：第一推挽MOS管和第二推挽MOS管；所述第一推挽MOS管的栅极和所述第二推挽MOS管的栅极接收移相180°带死区的方波信号；所述功率MOS管包括：第一功率MOS管和第二功率MOS管；所述驱动变压器原副边的匝比为，所述驱动变压器的原边绕组励磁电感的取 值满足下式： 其中，为所述第一推挽MOS管和所述第二推挽MOS管驱动之间的死区时间，所述 第一推挽MOS管的漏源电容，为所述第二推挽MOS管的漏源电容，为所述第一功率 MOS管的栅源电容，所述第二功率MOS管的栅源电容，为所述第一推挽MOS管的占空 比，为开关周期； 在死区时间内，所述驱动变压器的原边绕组励磁电感与所述第一功率MOS管和第二功率MOS管的门极电容谐振。

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