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龙图腾网恭喜金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510353011.6，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件是由林楷睿;许志设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳电池技术领域，提供了一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件，该背接触太阳电池通过调试背面掩膜层的工艺，使得硅片正面边缘也绕镀成膜形成一定宽度的掩膜层，且膜层厚度由硅片边缘向内逐渐减薄，这种特殊的绕镀设计，可以让硅片正面中间70%~90%面积形成大金字塔绒面而硅片边缘10%~30%面积形成小金字塔绒面的效果，从而使得大尺寸硅片的边缘为小金塔绒面且边缘保持较厚硅片状态并对金字塔进行圆滑处理，有利于在制作工艺中降低破片率，提高生产良率。

本发明授权一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳电池，其特征在于，包括：具有正面和背面的硅片；所述硅片的正面包括绕镀区和制绒区，所述绕镀区位于所述硅片的边缘，所述制绒区被所述绕镀区包围；所述绕镀区的厚度由硅片的边缘向靠近制绒区的方向逐渐减小，且所述绕镀区被制绒清洗后形成第一制绒表面，所述制绒区被制绒清洗后形成第二制绒表面，所述第一制绒表面的凸起程度小于所述第二制绒表面的凸起程度；第一半导体层，布置在所述硅片的背面，所述第一半导体层包括依次形成于所述硅片背面的隧穿氧化硅层与N型掺杂多晶硅层；第一半导体层被多个第二半导体开口区隔断，所述第二半导体开口区以及所述第二半导体开口区周边的第一半导体层表面均覆盖有第二半导体层；相邻的所述第二半导体开口区之间设有第一半导体开口区，所述第一半导体开口区将所述第二半导体层隔断；钝化层和减反层，所述钝化层和减反层依次布置在所述硅片的正面；其中，覆盖在所述绕镀区的所述钝化层和所述减反层的表面形成第一表面结构，覆盖在所述制绒区的所述钝化层和所述减反层的表面形成第二表面结构，所述第一表面结构的凸起幅度小于所述第二表面结构的凸起幅度；所述第一制绒表面包括多个第一金字塔结构，所述第二制绒表面包括多个第二金字塔结构；所述第一金字塔结构的高度小于所述第二金字塔结构的高度。

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