恭喜联华电子股份有限公司吴奕廷获国家专利权
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龙图腾网恭喜联华电子股份有限公司申请的专利磁阻式随机存取存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011492376.0，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权磁阻式随机存取存储器是由吴奕廷;黄正同;王荏滺;谢咏净;杨伯钧;陈健中;李柏昌设计研发完成，并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻式随机存取存储器在说明书摘要公布了：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器。该磁阻式随机存取存储器中每一存储器单元包含两非易失性存储单元、三个N型晶体管，和三个P型晶体管。每一N型晶体管并联于相对应P型晶体管。通过N型晶体管和P型晶体管的并联结构所组成的传输门可在写入操作中提供双向电流以避免产生源极退化。
本发明授权磁阻式随机存取存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁阻式随机存取存储器，其包含：第一位线；第二位线；以及第一存储器单元，其包含：第一非易失性存储单元，其包含：第一端，耦接在该第一位线；以及第二端；第二非易失性存储单元，其包含：第一端，耦接在该第二位线；以及第二端；第一N型晶体管，其包含：第一端，耦接在该第一非易失性存储单元的该第二端；第二端；以及控制端；第二N型晶体管，其包含：第一端，耦接在该第二非易失性存储单元的该第二端；第二端；以及控制端；第三N型晶体管，其包含：第一端，耦接在该第一N型晶体管的该第一端；第二端，耦接在该第二N型晶体管的该第一端；以及控制端；第一P型晶体管，其包含：第一端，耦接在该第一N型晶体管的该第二端；第二端，耦接在该第一N型晶体管的该第一端；以及控制端；第二P型晶体管，其包含：第一端，耦接在该第二N型晶体管的该第二端；第二端，耦接在该第二N型晶体管的该第一端；以及控制端；以及第三P型晶体管，其包含：第一端，耦接在该第三N型晶体管的该第二端；第二端，耦接在该第三N型晶体管的该第一端；以及控制端。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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