恭喜北京北方华创微电子装备有限公司孙妍获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利晶舟、工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112687596B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011499056.8,技术领域涉及:H01L21/673;该发明授权晶舟、工艺腔室及半导体工艺设备是由孙妍设计研发完成,并于2020-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶舟、工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了:本发明提供一种晶舟、工艺腔室及半导体工艺设备,该晶舟包括支撑架,支撑架具有多个间隔设置的放片位,晶舟还包括导气通道,导气通道具有至少一个进气口和多个出气口,进气口与气源连通,每个放片位至少对应一个出气口,出气口的出气方向朝向与之对应的放片位的中心区域。应用本发明可以提高wafer片内均匀性及晶舟的利用率。
本发明授权晶舟、工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了:1.一种工艺腔室,包括腔室主体和设置在所述腔室主体内的晶舟,其特征在于,所述晶舟包括支撑架,所述支撑架具有多个间隔设置的放片位,所述支撑架包括多个支撑件和用于连接相邻两个所述支撑件的连接件;多个所述支撑件间隔设置,每个所述支撑件具有多个沿所述支撑件的高度方向间隔设置的所述放片位;所述晶舟还包括导气通道,所述导气通道具有至少一个进气口和多个出气口,所述进气口与气源连通,每个所述放片位对应多个所述出气口,所述出气口的出气方向朝向与之对应的所述放片位的中心区域;所述导气通道包括主导气道和与所述主导气道连通的多个支导气道,所述主导气道的入口用作所述导气通道的进气口;每个所述放片位至少对应一个所述支导气道,所述支导气道呈弧形,每个所述支导气道沿周向设置多个所述出气口;所述晶舟还包括导气组件,所述导气组件包括主导气件和与所述主导气件连接的多个支导气件,所述主导气件内设置所述主导气道,每个所述支导气件内设置所述支导气道;所述主导气件沿所述支撑件的高度方向设置,多个所述支导气件沿所述支撑件的高度方向间隔设置,且每个所述支导气件均沿所述放片位的周向设置;每个所述支导气件均固定在所述支撑件上,且位于多个所述支撑件和所述连接件围合成的内部空间,用于承载晶片;所述支导气件靠近所述放片位的中心的面为弧面,且在所述弧面上沿所述支导气件的周向间隔设置多个所述出气口;所述晶舟的所述导气通道为两个,所述腔室主体的底部设有两个进气通道,以分别通入不同工艺气体;所述工艺腔室内还设有两个进气导管,两个所述进气导管分别与两个所述进气通道连通,并分别与两个所述导气通道的进气口连通。
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