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龙图腾网恭喜株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188411B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110023207.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体装置是由吉冈启;矶部康裕;洪洪;小林仁;大野哲也;杉山亨设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供输出电容小的半导体装置，从下到上具备：基板；第一氮化物半导体层；带隙更大的第二氮化物半导体层；第一源极电极；第二源极电极，还具备：设于第一源极电极与第二源极电极间的第二氮化物半导体层之上的第一栅极电极；设于第二源极电极与第一栅极电极间的第二氮化物半导体层之上的第二栅极电极；漏极电极，设于第一栅极电极与第二栅极电极间的第二氮化物半导体层之上，具有第一布线、设于第二栅极电极与第一布线间的第二布线、设于第一布线与第二布线间的下方的第二氮化物半导体层的元件分离区域、和设于第一布线、第二布线以及元件分离区域之上并与第一布线以及第二布线电连接的第四布线；以及设于元件分离区域与第四布线间的绝缘膜。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；设于所述基板上的第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，设于所述第一氮化物半导体层之上，带隙比所述第一氮化物半导体层大；第一源极电极，设于所述第二氮化物半导体层之上，沿与所述基板的基板面平行的第一方向延伸；第二源极电极，设于所述第二氮化物半导体层之上，沿所述第一方向延伸；第一栅极电极，设于所述第一源极电极与所述第二源极电极之间的所述第二氮化物半导体层之上，沿所述第一方向延伸；第二栅极电极，设于所述第二源极电极与所述第一栅极电极之间的所述第二氮化物半导体层之上，沿所述第一方向延伸；漏极电极，设于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间的所述第二氮化物半导体层之上，并具有：沿所述第一方向延伸的第一布线；第二布线，设于所述第二栅极电极与所述第一布线之间，沿所述第一方向延伸；多个元件分离区域，沿所述第一方向分别分离地设置在所述第一布线与所述第二布线之间的下方的所述第二氮化物半导体层；多个第三布线，设于所述多个元件分离区域之间的所述第二氮化物半导体层之上，将所述第一布线与所述第二布线电连接；以及第四布线，设于所述第一布线、所述第二布线、所述多个元件分离区域以及所述多个第三布线之上；以及绝缘膜，设于所述多个元件分离区域与所述第四布线之间。

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